Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB SSD

Technische Daten Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4 TB SSD mit Kühlkörper M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)

Grundlegende Daten

Formfaktor

M.2 2280

Speicherkapazität

4 TB

Speichertyp

V-NAND TLC

Schnittstelle

PCIe 5.0 x4

NVMe

NVMe-Protokollunterstützung

Controller

Samsung-eigener Controller

Lesegeschwindigkeit

14800 MB/s

Schreibgeschwindigkeit

13400 MB/s

Schreibausdauer (TBW)

2400 TB

Zusätzliche Informationen

Mittlere Zeit zwischen Ausfällen

1,5 Millionen Stunden

Stoßfestigkeit

1500 G

Leistungsaufnahme

8,2 W

Betriebstemperatur

0 bis 70 °C

Zusätzliche Informationen

NVMe 2.0

Cache-Speicher – Samsung 4 GB Low Power DDR4X SDRAM

TRIM-Unterstützung

S.M.A.R.T.-Unterstützung

Automatischer Garbage-Collection-Algorithmus

256-Bit-AES-Verschlüsselung (Klasse 0) TCG/Opal IEEE1667 (verschlüsseltes Laufwerk)

Unterstützung für Geräteschlafmodus

Zufälliges Lesen – 2.200.000 IOPS

Zufälliges Schreiben – 2.600.000 IOPS

Abmessungen

80,15 x 25 x 8,88 mm

Gewicht

30 g

SSD-Status

Neu

Lieferumfang

SSD-Laufwerk

Kühlkörper

Empfohlenes Zubehör

Motherboards

Siehe Motherboards

RAM

Siehe RAM

Festplatten

Siehe HDD-Laufwerke

HDD- und SSD-Zubehör

Siehe HDD- und SSD-Zubehör